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Jul 28, 2023

ETMOS-Projekt zur Entwicklung ultraschneller Dioden und Transistoren ...

Siliziumkarbid (SiC) und Gruppe-III-Nitride (GaN, AlN, InN und ihre Legierungen) spielen eine entscheidende Rolle in der energieeffizienten Stromumwandlung, Hochfrequenzelektronik und Optoelektronik. Durch die Kombination der

Siliziumkarbid (SiC) und Gruppe-III-Nitride (GaN, AlN, InN und ihre Legierungen) spielen eine entscheidende Rolle in der energieeffizienten Stromumwandlung, Hochfrequenzelektronik und Optoelektronik. Durch die Kombination der ausgereiften Technologie dieser Halbleiter mit großer Bandlücke mit den außergewöhnlichen Eigenschaften von 2D-Materialien wie Graphen und Übergangsmetalldichalkogeniden (insbesondere Molybdändisulfid (MoS2)) können Forscher ultraschnelle Dioden und Transistoren entwickeln.

Von April 2020 bis März 2023 arbeiteten Forscher von CNR-IMM (Italien), CNRS-CRHEA (Frankreich), IEE-SAS (Slowakei), MFA-EK (Ungarn) und der Universität Palermo (Italien) an der FLAG- ERA ETMOS-Projekt zum Bau von Konzeptgeräten auf Basis von MoS2, SiC und Galliumnitrid (GaN).

Der Höhepunkt des ETMOS-Projekts war die Entwicklung von MoS2/SiC- und MoS2/GaN-Heterojunction-Dioden mit hervorragenden Gleichrichtungseigenschaften. Eine abstimmbare Strominjektion wurde durch maßgeschneiderte Dotierung von MoS2- oder SiC (GaN)-Oberflächen erreicht.

Das ETMOS-Projekt hat seine wissenschaftlichen Ergebnisse auf verschiedene Weise aktiv verbreitet, unter anderem durch die Veröffentlichung in peer-reviewten Open-Access-Zeitschriften, die Teilnahme an internationalen Konferenzen und die Organisation eines Symposiums auf der Herbsttagung 2022 der European Materials Research Society (EMRS).

„Die Integration von 2D-Materialien verleiht SiC und GaN neue Funktionalitäten und erweitert das Spektrum potenzieller Anwendungen dieser Halbleiter mit großer Bandlücke. Ich gehe davon aus, dass diese Technologie neue Marktchancen eröffnen wird“, sagt Filippo Giannazzo, Forschungsdirektor von CNR-IMM.

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