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Aug 13, 2023

Infineon H7 650V IGBT fügt Diode hinzu ...

Die H7-IGBT-Geräte verfügen über eine EC7-Co-Packed-Diode mit einem fortschrittlichen emittergesteuerten Design, gepaart mit Hochgeschwindigkeitstechnologie, um dem steigenden Bedarf an umweltbewussten und umweltbewussten Unternehmen gerecht zu werden

Die H7-IGBT-Geräte verfügen über eine EC7-Co-Packed-Diode mit einem fortschrittlichen emittergesteuerten Design, gepaart mit Hochgeschwindigkeitstechnologie, um dem steigenden Bedarf an umweltbewussten und hocheffizienten Stromversorgungslösungen gerecht zu werden.

Der IGBT7 H7 nutzt die neueste Mikromuster-Trench-Technologie, um die Steuerung und Leistung des Geräts zu verbessern, was zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einem verbesserten Wirkungsgrad und einer höheren Leistungsdichte führt. Das Gerät ist für Stringwechselrichter, Energiespeichersysteme (ESS), Ladeanwendungen für Elektrofahrzeuge und traditionelle Anwendungen wie industrielle USV und Schweißen konzipiert.

In einem diskreten Gehäuse kann der H7 40 A bis 150 A liefern und wird in vier verschiedenen Gehäusetypen angeboten: TO-247-3 HCC, TO-247-4, TO-247-3 Plus und TO-247-4 Plus.

Die TO-247-3 HCC-Variante des H7 zeichnet sich durch eine hohe Kriechstrecke aus. Für eine verbesserte Leistung reduzieren die TO-247 4-Pin-Kelvin-Gehäuse Schaltverluste, bieten aber auch zusätzliche Vorteile wie geringere Spannungsüberschwinger, minimierte Leitungsverluste und den geringsten Rückstromverlust. Dies vereinfacht das Design und minimiert die Notwendigkeit, Geräte parallel anzuschließen.

Der 650-V-H7-IGBT verfügt außerdem über eine robuste Feuchtigkeitsbeständigkeit für einen zuverlässigen Betrieb in rauen Umgebungen und ist gemäß den relevanten Tests von JEDEC47/20/22, insbesondere HV-H3TRB, für den industriellen Einsatz qualifiziert, wodurch er sich gut für Außenanwendungen eignet.

Der TRENCHSTOP IGBT 7 H7 kann ab sofort bestellt werden. Darüber hinaus stehen Qualifizierungsmuster zur Verfügung.

www.infineon.com/discreteigbt7