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May 22, 2023

1,2 kV 8,7 mΩ SMD-SiC-Mosfet für die Automobilindustrie

Infineon hat seine neueste Siliziumkarbid-Chiptechnologie in einem 1.200-V-MOSFET für Kfz-Bordladegeräte und DC/DC-Wandler eingesetzt. Der flotte Name AIMBG120R010M1 ist im Format 10 x 15 x 4,4 mm erhältlich

Infineon hat seine neueste Siliziumkarbid-Chiptechnologie in einem 1.200-V-MOSFET für Kfz-Bordladegeräte und DC/DC-Wandler eingesetzt.

Der flotte Name AIMBG120R010M1 ist in einem 10 x 15 x 4,4 mm großen D2PAK-7L-Gehäuse (7-poliges TO263) erhältlich und kann 1,2 kV bei -55 bis 175 °C verarbeiten. Die Kriechstrecke beträgt 5,89 mm und eignet sich damit für 800-V-Systeme.

Sein „Gen1p“-Prozess wurde entwickelt, um den RDSon x-Bereichsgütefaktor zu verbessern, und kann in diesem Paket einen Rds(on) von 8,7 mΩ (20 V Gate, 25 °C Sperrschicht) erreichen. Auch bei 25°C verträgt der Kanal 205A.

Es wird behauptet, dass die Schaltverluste 25 % niedriger sind als bei den Teilen der ersten Generation des Unternehmens – die gesamte Schaltenergie beträgt 1,56 mJ bei 25 °C und steigt auf 2,09 mJ bei 175 °C (Vorbehalte finden Sie im Datenblatt).

Gegen unerwünschtes Einschalten beträgt die Gate-Schwelle mindestens 4 V und das Crss/Ciss-Verhältnis (Rückübertragungskapazität/Eingangskapazität) ist niedrig (16 pF/5,7 nF = 0,0028). Es wird behauptet, dass ein zuverlässiges Abschalten bei Vgate = 0 V „ohne das Risiko parasitärer Einschaltvorgänge“ besteht. Dies ermöglicht einen unipolaren Antrieb“, so Infineon, das dies durch die Angabe von „Off“-Kennlinien im Datenblatt bei Vgs=0V untermauert.

Um das Fahren zu erleichtern, gibt es neben dem Gate-Pad einen separaten Kelvin-Quellenanschluss (genannt „Sense“).

Die Montage des Chips erfolgt mittels Diffusionslöten (Markentechnologie „.XT“), wodurch die Sperrschichttemperatur im Vergleich zur ersten Generation gesenkt werde, heißt es weiter. Der Wärmewiderstand vom Mosfet- oder Body-Diode-Übergang zum Gehäuse beträgt typischerweise 0,13 K/W (maximal 0,17 K/W).

Apropos Body-Diode: Diese ist für die Kommutierung ausgelegt, wenn das Gerät als Synchrongleichrichter verwendet wird, und kann 208 A Spitzenstrom und bei 25 °C bis zu 176 A Dauerstrom verarbeiten.

Für Missbrauchsbedingungen ist das Gerät sowohl gegen Lawinen als auch gegen Kurzschlüsse geeignet.

Die Produktseite des AIMBG120R010M1 finden Sie hier und das Datenblatt hier