FDMS86200 FDMS86200DC N - Diode Co., Ltd

FDMS86200 FDMS86200DC N

Beschreibung FDMS86200: MOSFET N-CH 150V POWER56 Paket: PQFN-8 Herst.-Nr. Teilenummer: FDMS86200 Hersteller: ONDatenbl

BESCHREIBUNG

Beschreibung

FDMS86200: MOSFET N-CH 150V POWER56

Paket: PQFN-8

Hersteller Teilenummer: FDMS86200

Hersteller: ONDatenblatt: (E-Mail oder Chat für PDF-Datei)

ROHS-Status:

Qualität: 100 % Original

Garantie: 180 Tage

Diodenschaltung 75 V 0,3 A 2-polig SOD-323 T/R

Teilestatus	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	9,6 A (Ta), 35 A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm bei 9,6 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	4 V bei 250 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC bei 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2715 pF bei 75 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten	8-PQFN (5x6)
Paket/Koffer	8-PowerTDFN

Produktlinie des Unternehmens

FDMS86200 FDMS86200DC N-channel MOSFET Transistor

Zertifikate

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