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N-Kanal-Mosfet G30n03D3 30 V 30 A DFN-Pakettransistor für schnelles Laden
N-Kanal-MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN-Gehäusetransistor für schnelles Laden Allgemeine Beschreibung Der G30N03D3 nutzt fo
Senden Sie Ihre AnfrageBESCHREIBUNG
Basisinformation.
Modell Nr. | G30N03D3 |
Spq | 4000 Stück/Rolle |
Transportpaket | Karton |
Spezifikation | DFN-Paket |
Warenzeichen | KOMFORT |
Herkunft | China |
HS-Code | 8541290000 |
Produktbeschreibung
N-Kanal-MOSFET G30N03D3 30 V 30 A DFN-Gehäusetransistor für schnelles LadenAllgemeine Beschreibung Der G30N03D3 nutzt fortschrittliche Trench-Technologie, um einen hervorragenden RDS(ON) und eine niedrige Gate-Ladung zu bieten. Es kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden.
Allgemeine Merkmale
Allgemeine MerkmaleVDS 30 V ID (bei VGS = 10 V) 30 A RDS(EIN) (bei VGS = 4,5 V) <12 mΩ 100 % Lawinentest RoHS-konform
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Hauptkunden
Seit der Gründung im Jahr 1995 hat sich Goford Semiconductor zu einem globalen Unternehmen mit Niederlassungen in den USA, Hongkong, Australien, Shenzhen und Jiangsu entwickelt. Wir widmen uns seit jeher der Forschung und Entwicklung sowie dem Vertrieb von Leistungs-MOSFET-Produkten. Wir konzentrieren uns auf Energieeffizienz, Mobilität und Zuverlässigkeit, um dem Markt kostengünstige Produkte anzubieten.
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